半導體靜電放電發生器（型號:ESD-606G）專門為半導體器件抗靜電測試(HBM人體模式和MM機械模式）而設計，通過阻容放電模塊輸出波形，來滿足標準 MIL-STD-883E METHOD3015.7、EIAJED-4701Condition B、EIAJED-470…
技術特點：
● 超大液晶顯示，智能控制高壓輸出,體積小，重量輕，操作方便；
● 內置溫濕度傳感器，及時記錄現場試驗環境；
● 電子式高壓電源，電壓穩定精度高；
● 內置單片機控制，穩定可靠，操作方便；
● 正負極性自動切換；
● 進口放電模塊，分離設計，確保輸出波形穩定性和可靠性。
主要技術參數 Specifications
| 項 目 | ANSI/ESD STM5.1 EIA/JESD 22-A114-B（HBM） ANSI/ESD STM5.2 EIA/JESD 22-A115-A（MM） |
| 輸出電壓 | 0—8kV±5% |
| 輸出電壓極性 | 正/負 |
| 放電電容 | 100pF±5% 200pF±5% |
| 放電電阻 | 1.5kΩ 0 Ω |
| 工作形式 | 單次 計數 |
| 放電次數設定 | 1～9999 |
| 放電間隔 | 0.1～9.9s |
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