霍爾效應測試系統HET-3依據范德堡法則測量材料的電運輸性能參數，如載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數等，薄膜或薄層材料均可測量，可應用于所有半導體材料，包括Si、ZnO、SiGe、SiC，GaAs，InGaAs，InP，GaN（N型&P型均可測量）,廣泛應用于國內高校、研究所、半導體、金屬、高熱導有機新材料等行業。
產品特點
● 自主知識產權產品。
● 溫度范圍100K~700K（可連續變溫）。
● 采用高精密度恒流源和電壓表，確保儀器測試的良好準確度和高穩定性，性能。
● 自動控制磁場方向的改變，更加方便準確。
● 樣品裝夾方式快速方便，且使用能夠解決歐姆接觸的樣品芯片。
● 產品工業外觀采用一體化、精密化設計，融入人性化的設計理念，不僅賞心悅目而且操作方便。
● 智能化的用戶界面操作簡單，功能齊全的軟件平臺帶給客戶友好的操作體驗，使測試過程更加方便快捷。
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