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日本CRESTEC電子束曝光系統(EBL)

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一、公司介紹日本Crestec公司在東京成立于1995年,我們交付了EB光刻系統,遍布50多個客戶。我們也提供EB代工服務。部分客戶包括:湖南大學(中國)、上海應用物理研究所(中國)、西安交通大學(中國)、香港城市大學(香港)、工業技術研究院 (ITRI)(中國臺灣)、產業技術綜合研究所 (AIST) (日本)、東

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 一、公司介紹

日本Crestec公司在東京成立于1995年,我們交付了EB光刻系統,遍布50多個客戶。我們也提供EB代工服務。

部分客戶包括:

湖南大學(中國)、上海應用物理研究所(中國)、西安交通大學(中國)、香港城市大學(香港)、工業技術研究院 (ITRI)(中國臺灣)、產業技術綜合研究所 (AIST) (日本)、東京大學(日本)、豐田技術研究所 (日本)、豐橋工業大學(日本)、東北大學(日本)、三重大學(日本)、大阪大學(日本)、東京工業大學(日本)、理工大學(PTU-日本)、富山縣立大學(日本)、加州大學伯克利分校(美國)、Rubio Pharma y Asociados and RD Research & Technology(墨西哥)、劍橋大學(英國)、巴伊蘭大學(以色列)、阿卜杜拉國王科技大學(沙特阿拉伯)、莫斯科物理技術學院(俄羅斯)、薩拉托夫國立大學(俄羅斯)、ICFO – 光子科學研究所(西班牙)、馬德里理工大學(西班牙)、CNR 萊切(意大利)、卡坦扎羅大希臘大學(意大利)、海得拉巴大學(印度)

 

二、日本CRESTEC電子束光刻系統(EBL)

納米光刻技術在微納電子器件制作中起著關鍵作用,而電子束光刻在納米光刻技術制作中是方法之一。日本CRESTEC公司為21世紀納米科技提供 的電子束納米光刻(EBL)系統,或稱電子束直寫(EBD)、電子束爆光系統。 


型號包括CABL-9000C系列、CABL-9000TF系列、8000TF系列、CABL-4200LB及CABL-4200LB。其中CABL-9000C系列最小線寬可達8nm,最小束斑直徑2nm,套刻精度 20nm(mean+2σ),拼接精度 20nm(mean+2σ)。

技術參數:
1.最小線寬:小于10nm(8nm available) 
2.加速電壓:5-50kV 
3.電子束直徑:小于2nm 
4.套刻精度:20nm(mean+2σ) 
5.拼接精度:20nm(mean+2σ) 
6.加工晶圓尺寸:4-8英寸(standard),12英寸(option) 
7.描電鏡分辨率:小于2nm

主要特點:
1.采用高亮度和高穩定性的TFE電子槍 
2.出色的電子束偏轉控制技術 
3.采用場尺寸調制技術,電子束定位分辨率(address size)可達0.0012nm 
4.采用軸對稱圖形書寫技術,圖形偏角分辨率可達0.01mrad 
5.應用領域廣泛,如微納器件加工,Si/GaAs 兼容工藝,研究用掩膜制造,納 米加工(例如單電子器件、量子器件制作等),高頻電子器件中的混合光刻(Mix & Match),圖形線寬和圖形位移測量等。

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