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舉報(bào) 評(píng)價(jià)

日立球差校正掃描透射電子顯微鏡HD-2700

參考價(jià)面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱 天美集團(tuán)
  • 品牌
  • 型號(hào)
  • 所在地
  • 廠商性質(zhì) 其他
  • 更新時(shí)間 2023/2/16 12:14:29
  • 訪問次數(shù) 69

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產(chǎn)品介紹:HD-2700是一款200kV的場(chǎng)發(fā)射球差校正掃描透射電鏡。相比于普通的透射電鏡,HD-2700采用球差校正技術(shù),大大減小了透鏡球差對(duì)分辨率的影響,從而可以實(shí)現(xiàn)超高分辨率的觀察。同時(shí),HD

詳細(xì)信息 在線詢價(jià)

主要特點(diǎn):

高分辨觀察

利用金顆粒保證0.144nm分辨率DF-STEM像(標(biāo)準(zhǔn)型)。

大束流分析

約為非校正的STEM探針電流的10倍,可以進(jìn)行高速、高靈敏度能譜分析,可以在更短的時(shí)間內(nèi)獲得元素的面分布圖,使得檢測(cè)微量元素成為可能。
簡(jiǎn)化的操作

提供了專用的GUI自動(dòng)調(diào)節(jié)球差校正器

整體的解決方案

樣品桿與日立FIB兼容,提供了納米尺度的整體解決方案,從制樣到數(shù)據(jù)獲得和最終分析

多種評(píng)價(jià)和分析功能可選
可同時(shí)獲得和顯示SE&BF、SE&DF、BF&DF、DF/EDX和DF/EELS像;可以配備ELV-2000型實(shí)時(shí)元素Mapping系統(tǒng)(DF-STEM像可以同時(shí)獲得);可以同時(shí)觀察DF-STEM像和衍射像;可以配備超微柱頭樣品桿進(jìn)行三維分析(360度旋轉(zhuǎn))等。

項(xiàng)目

主要參數(shù)

電子槍

冷場(chǎng)或熱場(chǎng)發(fā)射電子槍

加速電壓

200kV120kV*

 

線分辨率

0.144nm(標(biāo)準(zhǔn)型,配有球差、冷場(chǎng)或熱場(chǎng))

0.136nm(高分辨型,配有球差、冷場(chǎng))

0.204nm(標(biāo)準(zhǔn)型,配有熱場(chǎng),無球差)

放大倍率

200x - 10,000,000x

圖像模式

BF-STEM相襯度像(TE)DF-STEM原子序數(shù)襯度像(ZC)、二次電子像(SE)、電子衍射花樣(可選)、特征X射線像(可選:EDX)EELS(可選:ELV-2000)

電子光學(xué)

電子槍:冷場(chǎng)或熱場(chǎng)發(fā)射電子槍,內(nèi)置陽極加熱器

透鏡系統(tǒng):兩級(jí)聚光鏡、物鏡、投影鏡

球差校正器:六極/傳輸 雙重(標(biāo)準(zhǔn)型和高分辨型)

掃描線圈:兩級(jí)電磁線圈

電位移:±1μm

樣品桿

側(cè)插式,X=Y=±1mmZ=±0.4mm T=±30°(單傾樣品桿)


應(yīng)用領(lǐng)域:

HD-2700作為一款場(chǎng)發(fā)射球差校正的掃描透射電鏡,不僅具有高分辨率的圖像觀察能力,同樣具有高空間分辨率的分析能力,配合EELS和EDS可以實(shí)現(xiàn)原子級(jí)元素的分析。HD-2700具有多種成像模式,可以滿足大部分樣品的觀察需求,其中日立*的SE成像模式可以獲得透射電鏡無法獲得的樣品表面的信息,同時(shí)又比普通掃描電鏡具有更高的分辨率,可以實(shí)現(xiàn)對(duì)樣品表面的高分辨觀察。      

 

應(yīng)用文章:

[1] Ciston1, J., Brown2, H. G., D`Alfonso2, A. J., Koirala3, P., Ophus1, C., Lin3, Y., Suzuki4, Y., Inada5, H., Zhu6, Y. & Marks3, L. D. Surface determination through atomically resolved secondary electron imaging.Nature Communications,2005,6, 7358-7365.

[2] Zhu1*, Y., Inada2, H., Nakamura2, K. & Wall1, J. Imaging single atoms using secondary electrons with an aberration-corrected electron microscope.Nature Materials,2009,8, 808-812.




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