產品用途：通過不同激光波長在半導體中的吸收距離和微區光電轉換，可以表征

　　光電子器件及太陽能電池微區的短路電流分布、表層缺陷、反射率等特性參數，

　　并通過橫向掃描（Mapping）形成圖像，以反應各種參數的平面均勻性，尤其是

　　晶界和位錯分布， 為光電子器件及太陽能電池的結構優化和工藝改進提供參考依

　　據。設備可應用于太陽能電池研究，GaAs、InP、GaN 光電子器件的研究。該設

產品用途：通過不同激光波長在半導體中的吸收距離和微區光電轉換，可以表征

　　光電子器件及太陽能電池微區的短路電流分布、表層缺陷、反射率等特性參數，

　　并通過橫向掃描（Mapping）形成圖像，以反應各種參數的平面均勻性，尤其是

　　晶界和位錯分布， 為光電子器件及太陽能電池的結構優化和工藝改進提供參考依

　　據。設備可應用于太陽能電池研究，GaAs、InP、GaN 光電子器件的研究。該設

　　備克服了大面積光照下I-V 測試與單點光譜測試的不對應性和不準確性，大大提

　　高了光電子器件診斷精度。

　　產品指標：

　　（1） 樣品尺寸：Max 200×160 mm2，Min 1×1 mm2

　　（2） 激光波長：532 和 980nm，也可根據材料的光吸收系數而自行選配

　　（3） 激光光斑：50μm/100μm 可選

　　（4） 測試電流范圍：1 μA–1 mA

　　（5） 測試模式：LBIC，LBIV，內外量子效率，反射率，擴散長度，均為

　　mapping成像

　　（6） 掃描步長：0.05、0.1、0.2、0.5、1、2、4 mm（可根據實際需要自定

　　義）

　　（7） 掃描速度：15 points/s

　　（8） 可進行單點或連續掃描（mapping）測試