上海伯東代理美國 進口 KRI 考夫曼離子源 KDC 10: 考夫曼型離子源 Gridded 系列最小型號的離子源. 適用于集成在小型的真空設備中, 例如預清洗, 離子濺射, 離子蝕刻. 在 <1000eV 低能量, 通 Ar 氬氣時離子蝕刻的能力顯著提高.KDC 10 離子源低損傷, 寬束設計, 低成本等優點廣泛應用在顯微鏡領域, 標準配置下 KDC 10 離子能量范圍 100 至 1200ev
KRI 考夫曼離子源 KDC 10
上海伯東代理美國 進口 KRI 考夫曼離子源 KDC 10: 考夫曼型離子源 Gridded 系列最小型號的離子源. 適用于集成在小型的真空設備中, 例如預清洗, 離子濺射, 離子蝕刻. 在<1000eV 低能量, 通 Ar 氬氣時離子蝕刻的能力顯著提高.KDC 10 離子源低損傷, 寬束設計, 低成本等優點廣泛應用在顯微鏡領域, 標準配置下 KDC 10 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 10mA.
KRI 考夫曼離子源 KDC 10 技術參數
型號
KDC 10
供電
DC magnetic confinement
- 陰極燈絲
1
- 陽極電壓
0-100V DC
- 柵極直徑
1cm
中和器
燈絲
電源控制
KSC 1202
配置
-
- 陰極中和器
Filament, Sidewinder Filament 或LFN 1000
- 架構
移動或快速法蘭
- 高度
4.5'
- 直徑
1.52'
- 離子束
集中
平行
散設
-加工材料
金屬
電介質
半導體
-工藝氣體
惰性
活性
混合
-安裝距離
2-12”
- 自動控制
控制4種氣體
KRI 考夫曼離子源 KDC 10 應用領域
離子清洗, 顯微鏡拋光 IBP
濺鍍和蒸發鍍膜 PC
輔助鍍膜(光學鍍膜) IBAD
表面改性, 激活 SM
離子濺射沉積和多層結構 IBSD
離子蝕刻 IBE
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