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TE制冷型銦鎵砷探測器DInGaAs（x）-TE 具有相同的外觀設計， 其中x-1700， 2600，均采用進口二級制冷銦鎵砷探測元件。
TE制冷型銦鎵砷探測器（DInGaAs）
TE 制冷型銦鎵砷探測器DInGaAs(x)-TE 具有相同的外觀設計， 其中x-1700， 2600，均采用進口二級制冷銦鎵砷探測元件。
TE制冷型銦鎵砷探測器光譜響應度曲線參考圖（虛線為某款國產InGaAs對比曲線）：
銦鎵砷探測器使用建議：
DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列銦鎵砷探測器均為電流輸出模式的光電探測器，在接入示波器、鎖相放大器等要求電壓輸入的信號處理器前，建議采用I-V跨導放大器ZAMP做為前級放大并轉換為電壓信號；標明可輸入電流信號的信號處理器可直接接入信號，但仍建議增加前置放大器以提高探測靈敏度；
DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列銦鎵砷探測器配合DCS103數據采集系統使用時，建議采用I-V跨導放大器以提高探測靈敏度；
DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列銦鎵砷探測器配合DCS300PA數據采集系統使用時，由于DCS300PA雙通道已集成信號放大器，故可不再需要另行選配前置放大器；
制冷型DInGaAs-TE系列銦鎵砷探測，在制冷模式時須使用溫控器（型號：ZTC）進行降溫控制；
TE制冷型銦鎵砷探測器型號列表及主要技術指標：
型號/參數 | DInGaAs1700-TE | DInGaAs2600-TE |
光敏面直徑(mm) | 3 | 3 |
波長范圍(nm) | 800-1700 | 800-2600 |
峰值響應度(A/W) | 0.9 | 1.2 |
D*(典型值) | 8.4×1013 | 4.9×1011 |
NEP(典型值) | 3.2×10-15 | 5.5×10-13 |
溫控器型號 | ZTC | ZTC |
探測器溫度(℃) | -40 | -40 |
溫度穩定度(℃) | ±0.5 | ±0.5 |
環境溫度(℃) | +10~+40 | +10~+40 |
信號輸出模式 | 電流 | 電流 |
輸出信號極性 | 正（P） | 正（P） |
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